내용 요약문제: 시스템 전원 차단(Power-off) 또는 정전 발생 시 비휘발성 메모리(EEPROM/Flash)에 저장 중이던 설정 데이터가 깨지거나 배드 섹터 발생.원인: 물리적인 Flash Memory는 지우기/쓰기 횟수 한계(Endurance Cycles)가 존재, 전원 차단 시 원자적 쓰기(Atomic Write)가 보장되지 않아 데이터 비트가 비정상 매팅됨.해결: 듀얼 뱅크 구조의 백업 버퍼링 및 데이터 검증 알고리즘(CRC-16)을 적용 및 소프트웨어 Wear-Leveling 적용 섹터 가용 수명 균등 배분.비휘발성 메모리 데이터 무결성(Data Integrity) 유실 및 수명 고갈 증상임베디드 시스템 설계 시 장치의 설정값, 로그, 캘리브레이션 데이터를 저장하기 위해 EEPROM이나 MC..